《表1 不同室温太赫兹探测器的主要性能参数Tab.1 Main performance parameters of different room temperature terahertz detec

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《室温微测辐射热计太赫兹探测阵列技术研究进展(特邀)》

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在阵列探测方面，Pradere等在2016年报道了一种太赫兹辐射到红外光热转换的太赫兹探测技术[19]，采用红外相机对转换后的红外辐射进行成像，NEP为160 p W/Hz1/2，探测波段主要是亚太赫兹波段。Cumming等在2016年报道了超材料结合硅基CMOS二极管的太赫兹探测器阵列[20]，探测器像元尺寸30μm，阵列规模为50×50，经测试器件NEP参数最小为10.4 n W/Hz1/2，热时间常数为420 ms。北京大学Yongzheng Wen等人在2017年报道了基于光机械驱动meta-molecule阵列的太赫兹探测器[21]，每个悬臂梁支撑的桥面上做好太赫兹吸收阵列结构，受到太赫兹辐射后，悬臂梁产生弯曲，结合LED光源和CCD相机探测悬臂梁变化，进而反应出太赫兹辐射强度信息，该方法可实现20 Hz的128×128阵列成像，器件NEP参数为2.9 n W/Hz1/2。目前已经商用的太赫兹探测阵列为基于热释电材料的太赫兹探测器，但热释电探测器制备基于热释电晶体材料，无法与硅基CMOS电路一体化集成，并且为保障探测性能必须采用厚度微米量级的晶体材料，器件的NEP（～10-9W/Hz1/2）性能参数偏低，因此在集成性、探测性能及响应速度方面相对较差。热敏材料主要采用氧化钒、非晶硅、金属、超导材料等，当前研究现状表明可实现室温工作、宽频探测、实时成像、阵列集成、小型化的太赫兹探测方式主要为基于氧化钒和非晶硅的热敏微测辐射热计（microbolometer）阵列技术[22]。不同室温太赫兹探测技术的主要性能参数情况参考对比表1所示[23]。