《表1 几种太赫兹探测器的性能对比》
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《栅极天线和NMOS耦合的CMOS太赫兹热探测器的设计与测试》
表1是本文提出的热探测器和几种太赫兹探测器之间的对比.其中表格中的第一种和第二种探测器同样是基于热探测的基础完成的.通过对探测频率、探测器结构、响应率、工艺以及芯片面积的比较,可以发现不同于其他探测器的天线和电路两各部分进行组合的方式,本文探测器的优点是天线直接在NMOS的栅极上实现,大大简化了探测器的结构,同时本文探测器的芯片面积在几种探测器之中也是最小的.另外,需要注意的是在表1的探测器中,有两种探测器是基于CMOS工艺和MEMS工艺的后处理来实现的,这种处理方式造成了探测器在商业化生产时时间和多种资源的消耗,尤其是在探测器实现大规模集成之后,更加不如本文提出的基于CMOS工艺的热探测器经济、易实现.本文提出的栅极天线和NMOS耦合的探测器的缺点是探测器的响应率较低,这也是之后需要改进的方向.
图表编号 | XD0032843900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.01 |
作者 | 李子蒙、杨娇、陈霏 |
绘制单位 | 天津大学微电子学院、天津大学微电子学院、天津大学微电子学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |