《表1 太赫兹混频器性能对比》

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《GaAs肖特基二极管的250 GHz二次谐波混频器研究》

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为了观察混频器受本振频率的影响情况，测试时，fLO分别设定为120、125、130 GHz。通过观察本振输入功率与变频损耗的关系，发现本振功率PLO=8 dBm时，变频损耗较低。通过测量，获得射频输入频率与变频损耗间的关系，如图6所示，这里每条测试曲线都对应的本振频率及输入功率固定不变。测试结果表明：悬置微带线在125 GHz的本振频率时，fRF在220～270 GHz的SSB变频损耗为8.6～12.7 dB，波动变化较大；当fLO为120 GHz和130 GHz时，在射频255 GHz工作点发生严重的恶化。而普通微带线混频器的SSB变频损耗在不同本振频率条件下，都表现处较好的平滑性，且当fLO=120 GHz时，fRF在220～260 GHz范围内SSB变频损耗为8.4～11.4 dB；在fLO为125、130 GHz时则要稍差一些。文中测试结果与国内其他太赫兹混频器性能进行比较的结果如表1所示，可见文中设计的二次谐波混频器的单边带变频损耗性能较好。