《表1 不同n的太赫兹微结构器件参数》

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《FeNHf磁性薄膜微结构中太赫兹波损耗的抑制》

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式中:μ0为真空磁导率4π×10-7N/A2；薄膜厚度h为50nm；ρ为材料电阻率；f为频率。通过四电极范德堡法测得Au薄膜的电阻率为2.4×10-8Ω·m，Fe NHf薄膜的电阻率为1.03×10-7Ω·m。所以，采用式（7）计算得到太赫兹频率下薄膜的涡流损耗，其结果如表2所示。可以看出，相同频率下，Fe NHf薄膜的涡流损耗更小，所以Fe NHf薄膜微结构中表现出比Au薄膜微结构更高的Q值。