《表1 两种器件结构参数》

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《新型半超结逆导IGBT的导通机理分析》

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半超结RC-IGBT的结构如图1（b）所示，与传统RC-IGBT如图1（a）相比，唯一区别在于半超结RC-IGBT漂移区由一系列交替排列的P型和N型掺杂柱组成。同时，依据超结结构的电荷平衡原理，半超结RC-IGBT的漂移区P/N柱的掺杂浓度较传统的RC-IGBT器件的N漂移区掺杂浓度高到2～3个数量级[5]。半超结RC-IGBT结构参数由表1给出。用Ymid值代表器件结构中半超结N/P-柱深度，如图1（b）标示。