《表1 仿真器件的基本结构参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《p型突出屏蔽区4H-SiC UMOSFET结构仿真研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

p型突出屏蔽区UMOSFET结构如图1（A）所示.该结构由于在p-body下方有突出的p型屏蔽区而得名.该p型突出屏蔽区UMOSFET结构有两个特点:1) 在结构表面存在一个p+-polySi区，并且该区域上端与源极相连，下端与n型漂移区相接触，在结构上形成了p+-polySi/n-SiC异质结二极管，并且与器件内部寄生的Pi N体二极管相并联；2) 在p-body区下面存在突出p型屏蔽区域，该区域主要作用是降低栅氧化层中的电场强度，防止栅氧化层电场过高而发生器件可靠性退化，同时还兼顾保护p+-polySi/n-SiC异质结界面，降低其漏电流.此外，该p型屏蔽区并没阻碍电流流通路径，因而该p型突出屏蔽区UMOSFET结构具有低的特征导通电阻.同时，由于p+-polySi/n-Si C异质结界二极管正向导通时主要是电子参与导电，表现出单极性.因此，该新结构具有良好的反向恢复特性，提高器件整体性能.图1（B）给出了相比较的p+-Si C屏蔽区UMOSFET结构.表1给出了器件仿真结构参数.