《表1 器件参数:二极管光生电流影响因素的仿真研究》
仿真所用的二极管耐压约为60 V,器件初始参数及连接方式如表1、图1所示,阳极(Anode)下方为P型掺杂,阴极(Cathode)下方为N型掺杂。阴极接高电位DC,阳极处串联两个阻值均为1 kΩ的电阻R1、R2;电压稳定后,光沿y轴方向垂直表面入射。仿真涉及的模型包括温度模型Thermodynamic、俄歇复合模型auger、包括了杂质和载流子间散射的迁移率模型phumob、界面处迁移率退化模型enormal以及光照模型Optics。
图表编号 | XD0016610600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.06.20 |
作者 | 刘承芳、孙鹏、高吴昊、夏云、左慧玲、陈万军 |
绘制单位 | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心、中国工程物理研究院电子工程研究所、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |