《表3 1 200 V/100 A Si C JBS二极管与Cree CPW5器件参数对比Tab.3 Parameters comparison of the 1 200 V/100 A Si C J
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《1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制》
注:CPW5-1200-Z050B来自Cree产品手册
从表3可以看出，本文研制的IME-1 200 V/100 A高温大电流Si C JBS二极管的电流密度、静态参数、动态参数、高温特性等水平与国际上Cree公司的CPW5-1200-Z050B产品相当。
| 图表编号 | XD00188426400 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.04.03 |
| 作者 | 汤益丹、李诚瞻、史晶晶、白云、董升旭、彭朝阳、王弋宇、刘新宇 |
| 绘制单位 | 中国科学院微电子研究所高频高压器件研发中心、中国科学院大学、株洲中车时代电气股份有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、中国科学院微电子研究所高频高压器件研发中心、中国科学院微电子研究所高频高压器件研发中心、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所高频高压器件研发中心、中国科学院大学、株洲中车时代电气股份有限公司、中国科学院微电子研究所高频高压器件研发中心 |
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