《表2 1 200 V/100 A Si C JBS二极管结电容测试结果Tab.2 Junction capacitance test results of the 1 200 V/100 A Si

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《1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制》

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表1为IF=50 A，di/dt=200 A/μs，VRM=800 V的测试条件下器件的反向恢复性能。表2为测试频率f=1 MHz下器件的结电容（Cj）测试结果。从表1和表2中可以看出，在最大反向恢复电流Irm和反向恢复时间trr（存储时间ta与下降低时间tb之和）处于正常条件下，当VRM=800 V时，该器件的反向恢复电荷Qrr=406 n C，与总电容电荷Qc=378 n C比较接近，可能是由于该JBS二极管为单极器件，没有少子复合过程，其电压的零点与电流的零点相近，充电电流在耗尽层不再扩展。