《表3 SiC结势垒肖特基二极管的重离子试验结果Tab.3 Heavy ion test results of SiC junction barrier Schottky diodes》
(1) :Leakage current increased to the limited value of 20mA immediately after heavy ion beam was turned on.
Xe、Ta离子辐照SiC结势垒肖特基二极管的试验结果,如表3所列。
图表编号 | XD0046654100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.03.26 |
作者 | 于庆奎、张洪伟、孙毅、梅博、魏志超、李晓亮、王贺、吕贺、李鹏伟、曹爽、唐民 |
绘制单位 | 中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、中国空间技术研究院、国 |
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