《表1 体系1—4的前线分子轨道能级和HOMO与LUMO间的能隙》

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eV

众所周知,前线分子轨道能级和分布对染料分子的电荷转移特征起着重要作用.在n-型DSSC中,染料分子的最高占据分子轨道(HOMO)能级应该低于电解质I-/I3-的氧化还原电位(-4.80eV)[24],以保证染料快速有效地再生,减少注入TiO2的电子与氧化态染料间的复合.最低未占据分子轨道(LUMO)能级必须高于TiO2半导体的导带能级(-4.00eV,真空),以提供足够的驱动力使电子从激发态染料注入到TiO2导带.体系1—4的HOMO和LUMO能级以及两者间的能隙列于表1,其HOMO和LUMO分布见图2.由表1可以看出,本文所研究体系的HOMO和LUMO能级均符合n-型DSSC的要求.各体系的前线分子轨道分布具有相似的特征,即HOMO主要分布在有机官能团上,而LUMO则定域在多酸簇上.体系1—4的HOMO能级顺序为体系3(-5.21eV)>体系2(-5.29eV)>体系4(-5.36eV)>体系1(-5.70eV).而LUMO能级相差不大,这是由于体系1—4的LUMO均分布在多酸上的缘故.