《表1 肖特基二极管的参数Tab.1 Parameters of Schottky diode》
理论分析和实际测试证明:这种点支撑的空气桥结构的平面肖特基二极管能够应用到亚毫米波频段上。将具有这样结构的两个平面二极管以反向并联结构的方式集成到GaAs基片上,可以有效地降低二极管的寄生电容和等效串联电阻,测试集成单片上的二极管的参数如表1所示。
图表编号 | XD0034313000 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.02.25 |
作者 | 杨大宝、王俊龙、张立森、梁士雄、冯志红 |
绘制单位 | 专用集成电路国家级重点实验室、中国电子科技集团公司第十三研究所、专用集成电路国家级重点实验室、专用集成电路国家级重点实验室、专用集成电路国家级重点实验室、专用集成电路国家级重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |