《表1 肖特基二极管SPICE模型参数Tab.1 Schottky diode SPICE modal parameter》

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《无基片空间合成的220 GHz三次倍频电路研究》

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四阳极同向串联形式肖特基二极管，要求其串联电阻小，可以降低无效的功率损耗，同时要求具有较小的寄生电容。为了评估肖特基二极管在太赫兹频段的性能，需要知道所采用的二肖特基二极管所需要的SPICE模型参数，具体如表1所示。