《表1 肖特基二极管2MAF1p5参数》

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《基于肖特基二极管的670 GHz四次谐波混频器设计》

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综合考虑上述因素，使用德国ACST公司的准垂直结构反向并联肖特基二极管2MAF1p5。该芯片采用转移薄膜衬底工艺，相比传统商用肖特基二极管，衬底厚度大大降低。同时衬底具有较低的介电常数，能够有效降低高频寄生电容。2MAF1p5相关参数如表1所示。该芯片总寄生电容仅为5 fF，截止频率高达10 THz，完全满足本文670 GHz四次谐波混频器设计需求。