《表1 雪崩二极管的结构参数》

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《InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管阵列性能一致性研究》

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本文采用的雪崩光电二极管有源区直径为25μm，倍增层厚为1μm，电荷层厚为0.13μm，吸收层厚为1.5μm，如表1所示。分别在200、220、250、273和300K温度下对器件进行模拟仿真，得到不同温度下制约器件性能的关键因素。电荷层掺杂浓度随吸收层的电场强度而变化，使吸收层的电场强度能够维持载流子以饱和速度运动。DCR与PDE均在过偏压（Vex）为4V时得到。