《表1 不同公司SiC二极管的部分参数》
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目前，SiC SBD和SiC MOSFET是发展最成熟的SiC两种器件，也是成功商业化的两种器件。一些知名公司的SiC SBD（JBS）的部分参数如表1所示。
| 图表编号 | XD0030618500 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.01.01 |
| 作者 | 唐泽伦、董健年、张军、徐麟 |
| 绘制单位 | 南京理工大学能源与动力工程学院、南京理工大学能源与动力工程学院、南京理工大学能源与动力工程学院、南京理工大学能源与动力工程学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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