《表1 SiC专利技术领域潜在研究主题及其部分技术词》
针对Si C专利技术领域,实践应用中尝试了16、20、21、24、25、28、30等不同主题个数,每次迭代1 000次。经过多次聚类,判断重合度,最终选择28个潜在主题作为Si C专利技术领域后续分析的主题基础(见表1)。通过表1可见,经过预处理,聚类单元包含单技术词和合成技术词两种类型,而合成技术词更加能表达一个完整的技术概念,从而进一步优化技术主题揭示。
图表编号 | XD0070461000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.04.05 |
作者 | 王丽、沈湘 |
绘制单位 | 中国科学院文献情报中心、中国科学院大学经济与管理学院图书情报与档案管理系、中国科学院文献情报中心、中国科学院大学经济与管理学院图书情报与档案管理系 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |