《表1 SiC结势垒肖特基二极管实验样品的主要电参数Tab.1 Main electrical parameters of test samples of SiC junction barrier S
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选择600，1 200，3 300V共3种型号的SiC结势垒肖特基二极管作为试验样品，分别记为1#、2#、3#，其对应的主要电参数，如表1所列。试验样品采用TO-220单排直插封装，无顶盖，裸露芯片。为了减少入射离子能量损失，芯片表面未涂胶。在芯片四周涂防护胶，避免高压击穿的发生。
| 图表编号 | XD0046654200 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.03.26 |
| 作者 | 于庆奎、张洪伟、孙毅、梅博、魏志超、李晓亮、王贺、吕贺、李鹏伟、曹爽、唐民 |
| 绘制单位 | 中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心、中国空间技术研究院、中国空间技术研究院、国 |
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