《表1 辐照后器件的理想因子与肖特基势垒》

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《4H-SiC探测器的γ辐照影响研究》

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图4为4H-SiC探测器在受到辐照后的反向I-V曲线。由图3可知，在受到剂量为100Gy（Si）和1000Gy（Si）的γ辐照后，4H-SiC探测器的反向电流在高电压下近似相等；在受到剂量为0．1MGy（Si）和1 MGy（Si）的γ辐照后，4H-SiC探测器的反向电流大幅减小。此时因反向电压较大，远大于肖特基势垒的变化（0．24V），故肖特基势垒的变化对反向电流的影响可忽略不计。γ辐照也会在半导体内引入点缺陷，在受到高剂量的γ辐照后，足够多的点缺陷形成时，会使得载流子的寿命减小[14]，从而导致4H-SiC探测器的反向电流在受到辐照后减小。