《表2 α能谱的峰值、半高宽和能量分辨率及探测器的电荷收集率》

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《4H-SiC探测器的γ辐照影响研究》

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在表2中给出了对应能谱的具体参数，包括能谱的峰值和能量分辨率，同时计算了4H-SiC探测器的电荷收集率。由表2可知，4H-SiC探测器在受到γ辐照（累积剂量最大为1 MGy（Si））后，能谱的峰值从977．35减小至955．23，并由此计算可得4H-SiC探测器的电荷收集率从95．65%减小至93．55%；能谱的能量分辨率从1．81%增加至2．32%。以上数据说明，在受到累积剂量为1MGy（Si）的γ辐照后，4H-SiC探测器在探测能量为5．486 MeV的α粒子时，仍能达到93．55%的电荷收集率和2．32%的能量分辨率，相比未辐照时仅退化了2．2%和28．18%。