《表1 半高宽和晶粒尺寸随Ar/O2不同流量比的变化关系》

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《溅射气体流量比对磷掺杂ZnO电学性质的影响》


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由表中还可以看出,当Ar/O2比值在1 0-10.05时,XRD衍射峰的半高宽最窄,也就是说在此条件生长的Zn O:P薄膜,经空气快退火后晶体结晶质量最好。