《表2 在1 000和1 100℃合成的Zr N的(111)晶面半高宽和晶面间距》

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《熔盐氮化法合成氮化锆粉体及其对硅粉氮化的影响》

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为进一步了解温度（1 000和1 100℃）、熔盐介质n（Mg Cl2）∶n（Na Cl）=1∶2时对合成Zr N的影响，采用Highscore Plus软件[5]计算Zr N（111）晶面的半高宽和晶面间距（见表2），其中，FWHM（111）为（111）晶面的半高宽，d（111）为（111）晶面的晶面间距。由表2可知，随着温度的升高，Zr N的（111）晶面对应的衍射峰变窄，表明氮化温度的升高有利于提高Zr N的结晶度。