《表1 Si基器件与Si C器件封装电流密度对比》

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《新一代高压SiC器件在轨道交通牵引系统应用中的热管理技术》

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由于宽禁带半导体的特殊优势，其单位面积芯片比传统的硅芯片具有更大的电流密度，因此同样电流等级的器件需要数量更少和面积更小的芯片，从而导致器件的功率密度也能得到提升。从表1可知，Si C器件单位面积的通流能力比传统Si基器件提升了40%～200%，更高的电流密度往往代表了更高的散热功率密度。