《表1 沟道等效条件：Si C MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合》

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《Si C MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合》

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进一步分析Si C MOSFET功率器件的典型开通波形，如图4所示，假设t0时刻引脚电压u GS达到驱动电压UGG，可知在栅源极电压ugs上升至阈值电压Uth之前，器件仍处于关断状态，漏源极电压uds仍维持在母线电压UDD，故此阶段的沟道可以用开路表示；当t1时刻，栅源极电压ugs大于阈值电压Uth，导电沟道开始形成，漏极电流id开始上升（在此期间由于漏极电流id急剧变化，在器件的寄生电感上产生感应电压u Ld+u Ls，迫使器件的漏源极电压ugs下降），导电沟道的宽度与栅源极电压ugs呈正相关，即栅源极电压ugs决定器件的通流能力，此时漏极电流id与漏源极电压ugs的关系可用式（1）表示，故此阶段的沟道部分可以用电压控制型电流源来表示。当t2时刻，漏极电流id上升至通态电流Io（由外电路决定），栅源极电压ugs上升至米勒电压Umiller，此后漏极电流id会持续上升一段时间。当t3时刻，漏源极电压uds下降至通态电压Uds（on），栅源极电压ugs恢复上升，器件进入线性区，此时沟道部分可看作电阻，t4时刻器件完全导通。综上所述导电沟道在不同阶段的等效情况如表1所示。