《表1 中美Si C功率MOS器件专利高产机构》

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《基于多角度文献计量的中美碳化硅MOS器件研究现状比较》

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高产机构分析能够更加详细地了解技术的主要研究者和拥有者，技术实力强大的机构通过申请专利占领市场，取得竞争优势。表1列出了中美Si C功率MOS器件技术专利申请最多的10个高产机构，这些机构在此技术领域拥有较强的技术竞争力。从表1可以看出，中国前10个高产机构中，公司类机构占4个，高校及研究院所占6个；而美国前10个高产机构均为公司类机构。因此，在Si C功率MOS器件技术领域，中国还处于实验室科研孵化阶段，而美国已经处于大量产业化阶段。我国应加强科研成果转化，促进该领域技术由实验室走向产业。