《表1 MoS2/C复合薄膜的沉积工艺》

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《MoS_2/C复合薄膜多环境摩擦学行为的研究》

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3) 沉积MoS2/C复合薄膜。关闭高HiPIMS电源，打开DCMS溅射源，时间为180 min。阴极靶材选用石墨靶材，并将若干2.5 cm×2.5 cm MoS2薄片贴在靶材磁控溅射轨道上。通过改变MoS2薄片的数量调控薄膜中Mo、S的含量。薄膜总厚度控制在2，MoS2片数分别为2、4、6及8（对应样品分别为 （Mo S2）16C84、（Mo S2）34C66、（Mo S2）45C55和（Mo S2）55C45） ，实验参数和薄膜成分如表1、表2所示。