《表5 欧美第三代半导体器件专利申请排名前十机构》

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《第三代半导体器件专利分析》

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欧美第三代半导体器件专利申请排名前十机构如表5所示，全部为企业。除英飞凌和欧司朗总部在德国之外，其他企业总部均设立在美国。英飞凌脱胎于西门子半导体部门，是全球领先的功率半导体和汽车电子元件制造商，而Si C未来在新能源汽车产业拥有巨大潜力，是该公司技术研发的重要方向；欧司朗是全球第二大光电半导体制造商，也是全球唯二的能够提供商品化Ga N基激光器的企业，而Ga N激光照明被认为是下一代照明技术，其在高能射线探测领域也具有很大应用潜力，但尚未实现产业化；德国Si Crystal公司也有较强的产业化能力，但专利申请量较少。对于美国企业，IBM、英特尔、德州仪器和镁光科技均为全球半导体技术巨头，陶氏杜邦为全球化工巨头。应用材料是全球最大的半导体制造设备供应商，在第三代半导体材料尤其是Si C相关的氧化扩散、薄膜沉积和刻蚀工艺与设备领域有大量专利布局；格罗方德原为美超微（AMD）晶圆厂，后拆分为独立的纯晶圆代工企业，并为阿联酋资本穆巴达拉投资基金（Mubadala Investment Company PJSC）子公司阿布扎比先进技术投资公司（ATIC）控股，是仅次于台积电和三星的全球第三大晶圆代工企业；科锐是商品化Si C单晶抛光片制造领域的隐形冠军，其技术水平全球领先，几乎垄断了整个Si C衬底LED照明产业，同时，该公司也成功生产出了Ga N单晶衬底；Kyma公司则已经能够供货1英寸、2英寸和3英寸Ga N单晶衬底，且已研制出4英寸Ga N单晶衬底；通用电气在Ga N衬底LED产业上也有布局；TDI公司则是全球唯一能够量产Al N的机构。然而，上述两家公司专利申请量较少。