《表2 100 k Hz测量频率下不同金属电极的Al2O3/Y2O3堆栈Si C MOS电容的特性参数》
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《基于SiC基底的Y_2O_3/Al_2O_3堆栈MOS电容的特性研究》
图6为100 k Hz测量频率下不同金属电极的Al2O3/Y2O3堆栈MOS电容的C-V迟滞曲线，分析了Mg/Al2O3/Y2O3/Si C MOS、Ni/Al2O3/Y2O3/Si C MOS及Al/Al2O3/Y2O3/Si C MOS 3种堆栈MOS电容的C-V特性。从曲线中提取相应的参数，经过相应的公式转换计算及数据处理，所得数据列于表2。
| 图表编号 | XD0030655700 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.02.20 |
| 作者 | 李诚瞻、赵艳黎、吴煜东、陈喜明、贾仁需 |
| 绘制单位 | 新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、西安电子科技大学 |
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