《表1 不同测试频率 (1 MHz、100 k Hz、10 k Hz及1 k Hz) 下, Mg/Al2O3/Y2O3/Si C MOS电容的特性参数》
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《基于SiC基底的Y_2O_3/Al_2O_3堆栈MOS电容的特性研究》
图5为在不同测试频率（1 MHz、100 k Hz、10 k Hz及1 k Hz）条件下，Mg/Al2O3/Y2O3/Si C MOS电容的C-V迟滞曲线。可以看出随着测量频率的逐渐减小，C-V曲线逐渐向左偏移。同时从4条曲线中提取出了氧化层电容Cox，等效氧化层厚度tox，Al2O3/Y2O3堆栈结构的相对介电常数，平带电容CFB及平带电压VFB列于表1中。在计算Al2O3/Y2O3堆栈结构的相对介电常数时，利用公式
| 图表编号 | XD0030655800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.02.20 |
| 作者 | 李诚瞻、赵艳黎、吴煜东、陈喜明、贾仁需 |
| 绘制单位 | 新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、西安电子科技大学 |
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