《表2 中美Si C功率MOS器件科研论文高产机构》

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《基于多角度文献计量的中美碳化硅MOS器件研究现状比较》

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科研论文高产机构分析能够更加详细地了解技术的主要研究者和拥有者。表2中列出了中美Si C功率MOS器件科研论文发表最多的10个高产机构，这些机构在此技术领域拥有较强的科研竞争力。从表2可以看出，中国前10个高产机构分别为中国科学院、浙江大学、西安电子科技大学、中国科学院大学、西安交通大学、电子科技大学等；而美国前10个高产机构分别为北卡罗来纳州立大学、美国国防部、美国陆军研究实验室、通用电气公司、美国能源部、弗吉尼亚理工大学等。中国对于Si C功率MOS器件技术的研究主要集中在中国科学院以及各大学，而美国的相关研究主要集中在国防部、能源部、陆军实验室以及各大学。相对而言，美国国家机构在Si C功率MOS器件领域的科研论文数量明显多于中国。此外，对比各高产机构的论文数和规范化引文影响力CNCI值可以看出[21-22]，美国高产机构的科研论文数以及论文影响力明显高于中国高产机构的科研论文，我国科研论文的数量以及质量均有待进一步提升。