《表1 Q1和Q2的主要器件参数Tab.1 Main parameters of Si C MOSFETs Q1and Q2》

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《寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响》

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在SiC器件制造工艺还未完全成熟的阶段，器件参数的离散性会导致并联器件的稳态和瞬态不均流，阈值电压、导通电阻和跨导的离散性对并联器件电流分配的影响最为严重。为了避免器件参数离散性对寄生电感不匹配影响并联均流的实验结果造成较大误差，本文对同一批次的30个Si C MOSFET进行编号后测试了其电性能参数，选取了主要参数最为接近的两个器件（22号和23号）作为两并联器件，并将其重命名为Q1和Q2。Q1和Q2的主要器件参数如表1所示，Vth和Ron分别为器件的阈值电压和导通电阻，gm，max为器件的最大跨导值。