《表1 3种Si/SiC混合器件配比参数[22]》
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《Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究》
混合器件内部SiC MOSFET的电流大小选择,将直接影响混合器件的导通损耗、开关损耗、热阻和短路能力等,这将直接影响混合器件变换器的效率和热特性。文献[22]选取如表1所示的3种混合器件电流配比来分析电流配比对混合器件的导通损耗、开关损耗和短路特性的影响。
图表编号 | XD00151007500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.07.30 |
作者 | 李宗鉴、王俊、江希、何志志、彭子舜、余佳俊 |
绘制单位 | 湖南大学电气与信息工程学院、湖南大学电气与信息工程学院、湖南大学电气与信息工程学院、湖南大学电气与信息工程学院、湖南大学电气与信息工程学院、湖南大学电气与信息工程学院 |
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