《表2 器件阻断电压：一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化》

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《一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化》

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CSTBT器件耐压水平位于其他2种器件之间，新型器件EFP CSTBT耐压水平最高。新型器件EFP CSTBT对第2部分浮空P基区进行了改进，延伸浮空P基区的引入可以提高器件的阻断电压，如图4所示。不同器件的耐压数据如表2所示，EFP CSTBT耐压能力比FP CSTBT和CSTBT分别提高了26.5%和6.97%。由此可知，延伸浮空P基区对提高器件阻断电压效果较为显著。