《表1 TLP测试数据：一种低触发电压高维持电压可控硅静电防护器件的设计与实现》

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《一种低触发电压高维持电压可控硅静电防护器件的设计与实现》

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ESD特性测试是在Thermo Celestron I TLP系统上进行的。它向器件阳极施加了一个串行电流脉冲，上升时间为10ns，脉冲宽度为100ns。失效点定义为漏电流突然超过1μA。上述两种器件TLP测试的IV曲线如图5所示，具体数据见表1。