《表1 P-FLASH器件阈值电压测试方法》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

本实验选取90 nm浮栅型P-Channel FLASH单元器件，其结构示意图如图3所示。器件辐照源选取西安原子能研究所钴60γ射线源对P-FLASH器件进行总剂量辐照试验研究，剂量点:50 krad（Si）、100 krad（Si）、150 krad（Si），剂量率:50 rad（Si）/s。器件辐照过程中，分别采集FLASH辐照前后的转移特性曲线，其编程/擦除态阈值电压的测试方法如表1所示。