《表1 不同周期间隔的编程擦除循环后，测试单元亚阈值摆幅和擦除态阈值电压的变化情况》

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《损伤恢复机制对3D NAND闪存保持特性的影响》

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为了分析损伤恢复机制与上述保持特性改善这一实验现象间的关系，在编程擦除循环过程中还收集了其他实验数据。由于在两种编程模式的实验中，分布式编程擦除循环阶段的实验流程没有区别，因此这里仅取PPP编程模式实验中收集的编程擦除循环过程的实验数据进行分析，数据收录在表1中。首先，实验中提取了在不同周期间隔的编程擦除循环后，测试单元的亚阈值摆幅（subthreshold swing，SS）与编程擦除循环之前相比增加的量（ΔVSS）。在编程擦除循环过程中，由于界面陷阱的产生，会使亚阈值摆幅上升。但从表中数据可以看出，随着编程擦除循环周期间隔的延长，编程擦除循环后亚阈值摆幅的增加量减小，即亚阈值摆幅的上升被抑制。这一结果表明，在编程擦除循环周期间隔中确实发生了界面陷阱的修复，即损伤恢复的第一种机制。此外，实验中还提取了在不同周期间隔的编程擦除循环后，测试单元的擦除态阈值电压与编程擦除循环前相比增加的量（ΔVth，E）。数据呈现的趋势与亚阈值摆幅的情况类似，随着编程擦除循环周期间隔的延长，编程擦除循环后擦除态阈值电压的增加量也相应减小。但是，这一结果并不足以直接证明在编程擦除循环周期间隔中发生了氧化层电荷逸出，即损伤恢复的第二种机制。