《表4 不同TiAl层厚度下NMOSFET器件的阈值电压和阈值电压均匀度》

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《高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法》

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在保持其他沉积参数一定的情况下，只通过改变沉积时间，从而改变沉积薄膜的厚度，可以得出不同厚度对NMOSFET阈值电压影响的曲线。在同一片晶圆上随机选取13个沟道长度为30 nm的NMOSFET器件，并计算测试点归一化的阈值电压的平均值以及所有测试点阈值电压的均匀度，其结果如表4所示。表4中d为TiAl层厚度的基准值。