《表2 不同反应压强下的Ti/Al原子比率以及Ti/Al原子比率均匀度》

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《高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法》

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在磁控溅射中反应压强是一个重要参数，它对溅射速率、沉积速率以及薄膜的质量和成分都会产生很大的影响。由于反应压强会影响沉积速率，所以需要改变沉积时间使薄膜厚度相等。图4所示的是直流功率、射频功率和薄膜厚度保持不变，只改变反应压强的条件下，TiAl薄膜中Ti/Al原子比率随量测点和圆心距离的变化。在每片晶圆上共选取49个量测点（图3），按照量测点与圆心的距离分组，并计算每组的Ti/Al原子比率和所有量测点的Ti/Al原子比率均匀度，分别如图4和表2所示。