《表1 不同射频功率和直流功率下Ti/Al原子比率以及Ti/Al原子比率均匀度》

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《高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法》

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图2（a）和图2（b）分别为一片晶圆上Ti/Al原子比率随测试点半径的变化曲线。图中横坐标表示测试点距晶圆圆心的距离（半径），纵坐标表示经过归一化后TiAl薄膜中Ti/Al原子比率。分别在半径为49，85，103，120，134和146 mm的同心圆上，均匀选取8个测试点进行量测，如图3所示。计算每组测试点的平均值并在图2（a）和图2（b）中标出。表1表示不同的射频功率和直流功率下每一片晶圆上49个测试点的归一化Ti/Al原子比率平均值以及49个测试点的Ti/Al原子比率的均匀度。