《表3 溅射TiAl薄膜工艺参数分组情况》
基于2.1节实验设计,通过实验验证了Ti/Al原子比率对NMOSFET阈值电压的影响,对照实验参数和测试结果如表3所示。
图表编号 | XD0028230000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.15 |
作者 | 刘城、王爱记、刘自瑞、刘建强、毛海央 |
绘制单位 | 中国科学院大学微电子学院、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中国科学院微电子研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |