《表1 ZnS、SnS、Cu薄膜的溅射参数》

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《ZnS溅射功率对Cu_2ZnSnS_4薄膜附着性及太阳电池性能的影响》

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采用磁控溅射依次溅射Zn S、Sn S和Cu获得CZTS预制层，靶材纯度均为99.99%，直径为77 mm；生长腔本底真空10-5Pa，溅射Ar气压强为0.3 Pa。详细溅射参数如表1所示。Zn S靶溅射功率为50 W、80 W、110 W、140 W，同时将每种功率下的预制层样品组分置于贫Cu、富Zn条件下（n(Cu）/n（Zn+Sn）≈0.8，n（Zn）/n（Sn）≈1.2)，预制层薄膜样品分别标记为A1、A2、A3和A4，控制其他条件不变。