《表1 ZnS薄膜实验参数设计》

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《原位退火处理对ZnS/Si薄膜结晶性能的影响》

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试验设备腔体本体真空2.0×10-7 Pa，在镀膜生长期间腔体真空为4.0×10-6 Pa，腔体真空变差的主要原因是在激光打靶时轰击出的等离子体在充斥在腔体中造成整体真空变差。靶材ZnS为合肥科晶公司生产纯度99.99%，靶基距5cm，沉积时间30min。实验用脉冲激光器为YAG型，波长355nm，频率4Hz。在沉积期间为保证镀膜均匀同时保证靶材由于长时间被激光击穿，要在激光轰击靶材时打开旋转装置，旋转速率1周/s。实验前使用酒精和丙酮溶液对样品托进行充分清洁，以保证进样时能达到真空要求。镀膜期间基底温度维持在200℃，镀膜结束后原为条件下对样品进行200~450℃的退火处理。表1为实验方案设计参数。