《表2 SiNx薄膜沉积实验参数》

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《薄膜微结构的近红外透射诱导增强特性》

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针对文中设计的高度2～5μm的薄膜微金字塔结构阵列，需要沉积相应厚度的SiNx薄膜.在众多的SiNx沉积方法中，针对厚度达数微米的介质薄膜，PECVD技术无疑是一种最优的膜层沉积方法.PECVD沉积工艺的反应温度一般在300°C以下，这种低的沉积温度可以有效缓解膜层与基底因热膨胀失衡所带来的应力失配等不利影响.另外，膜层的应力累积问题可以通过调整沉积参数进行改善[23]，<100>双抛硅片上5μm厚度的SiNx膜层的沉积参数见表2.薄膜的折射率由椭偏仪（M-2000，J.A.Woollam Co.，inc，Lincoln，USA）检测，膜层厚度由扫描电子显微镜测试；薄膜应力由薄膜应力测试仪（BGS6341，Beijing Institute of Photoelectric Technology，Beijing，China）检测，厚度5μm的氮化硅薄膜，膜层应力为-67MPa.针对不同尺寸高度的微金字塔结构，调节SiNx薄膜的沉积时间，即可获得2～5μm厚度的薄膜.