《表5 制备结果与设计结构的差异对比表》
SiNx薄膜微金字塔结构阵列整体的形貌一致性较高,检测20个不同位置的结构单元的平均尺寸,得出制备结果与设计结果的差异对比,见表5.其中,微金字塔结构的底宽尺寸分别为3.8μm、5μm、7.5μm和9.3μm,结构之间出现了宽度为0.1μm的间隙;微结构的平均高度为1.7μm、2.2μm、3.3μm和4.1μm.结构的深宽比由设计的1∶2,变为最终的1∶2.2、1∶2.3、1∶2.3和1∶2.3,这是由于纳米压印3%左右的交联收缩率以及感耦合等离子体刻蚀过程中掩模层与SiNx薄膜1.25∶1的刻蚀比共同导致的结果.微金字塔结构单元尺寸的深宽比存在一定程度的降低,结构的塔尖保持了锐利的尖端形貌.
图表编号 | XD0063372200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.07.01 |
作者 | 葛少博、刘卫国、周顺、杨鹏飞、李世杰、黄岳田、孙雪平、林大斌、张进 |
绘制单位 | 西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、中国科学院光电技术研究所、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学光电学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室 |
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