《表1 Crx C1x薄膜沉积参数》

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《PEMFC不锈钢双极板表面改性用Cr-C薄膜的成分设计与制备》

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具体薄膜制备工艺过程如下：将双极板样品清洗好后，安装于可旋转的样品架上，把金属Cr靶和石墨C靶作为蒸发源，在镀膜开始前先进行粗抽真空，然后精抽至压强小于5×10?4 Pa。镀膜时通入氩气，使气压增至1.0 Pa，设置负偏压，对基体进行辉光清洗，之后引燃靶材电弧进行镀膜。每组实验主要通过调节C靶和Cr靶的弧电流比值IC/ICr来调整成分，从而制备出不同成分的CrxC1?x薄膜。弧流、偏压幅值、占空比、沉积温度、沉积时间等参数会影响最终的薄膜质量。弧流增大，靶材蒸发速率提高，沉积时间缩短，但会导致基体大颗粒数目增多。幅值增大，离子轰击作用增强，占空比越大，离子轰击时间越长，二者增大有利于减少表面大颗粒数目，但会增加凹坑数目。沉积温度的提高会提升薄膜致密性，但会造成成本的增加，所以参数的选择要结合实际情况优化确定，具体实验参数如表1所示。