《表1 不同功率溅射下ZnO:Ga薄膜结构参数》

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《调制溅射功率对掺镓氧化锌薄膜光电性能影响》

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GZO薄膜方阻的方阻通过四探针方阻测试仪进行测试，其方阻与功率关系如图6所示。当溅射功率从150 W提升至200 W时，由于功率的增高，高能粒子造成薄膜质量损坏，薄膜晶粒层表面成核不均匀，导致GZO薄膜的方阻增加；当溅射功率从200 W到300 W时，250 W的应力最小，且根据表1能够看到250 W时的晶粒尺寸大于200 W时。表明，250 W溅射条件相较于200 W时样品的晶粒变大，且薄膜晶粒分布均匀，导致GZO薄膜的方阻减小。当功率为300 W时，由表1和图2可知，300 W时薄膜晶粒尺寸变小，应力变大。分析为300 W时靶材原子轰击样品的能量过高，速度更快，薄膜晶粒还未完全成核，新的粒子到达并覆盖在薄膜表面上导致薄膜晶粒变小，分布更均匀，使得GZO薄膜的方阻减小。