《表1 工艺参数：氮氩气流量比对磁控溅射氮化钛薄膜微观结构的影响》

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《氮氩气流量比对磁控溅射氮化钛薄膜微观结构的影响》

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TiN薄膜采用多靶磁控溅射设备制备，靶材为高纯Ti靶，直径60 mm、高5 mm，以高纯N2和高纯Ar为反应气体。使用p型（100）取向单面抛光硅基片（尺寸10 mm×10 mm）做衬底，实验之前用无水乙醇进行超声波清洗，保持硅片表面洁净，本底真空度1.0×10-4 Pa，基底温度为300°C，溅射功率为600 W。实验分为2组，在Ar气压为5 Pa的条件下，分别进行改变N2气体流量的实验，以及改变N2气体流量和Ar气体流量之比的实验，参数见表1。溅射2 h后，关闭溅射装置、气阀和电源，待试样冷却至室温后取出，密封保存并标号。