《表1 改变氮氩气比例试验得到薄膜厚度及沉积速率的结果》

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《氮氩比对大功率脉冲磁控溅镀(AlCrNbSiTiV)N薄膜性能的影响》

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由表1可知，当氮氩比由0%增加至20%，（AlCrNbSiTiV）N薄膜厚度由1417.2 nm下降至850.1 nm，沉积速率也由47.23 nm/min降至28.34 nm/min。这是因为反应过程在靶材与基材表面及气相中进行，氮气比例增加容易使靶材表面与氮气产生反应而形成氮化物，称为靶材毒化效应[10-11]，会产生溅镀迟缓。