《表1 射频磁控溅射工艺制备CZO薄膜的相关参数》

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《CaZrO_3薄膜的微观结构与介电性能研究》

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采用射频磁控溅射工艺，在以Pt层为底电极的Si基底上生长CaZrO3薄膜。考虑到不同元素的溅射率，溅射靶材的化学计量比为CaZr1.05O3。使用商业的一水乙酸钙（Ca(CH3COO）2.H2O，纯度为98%)和五水硝酸锆（Zr(NO3）4·5H2O，纯度为99.48%)作为原料。采用溶胶凝胶技术合成溅射靶材所需的粉体材料。按上述靶材所需的化学计量比分别精确称量两种试剂，并在室温下分别完全溶解在去离子水中，然后将两种溶液混合，使用带有磁力搅拌器的恒温水浴锅充分搅拌。然后将N，N-亚甲基双丙烯酰胺（纯度为98.5%）和丙烯酰胺（纯度为99%）依次加入到混合溶液中充分搅拌一小时。之后，加入偶氮二异丁腈（纯度为99%），然后升高水浴温度至80℃使混合物溶液形成凝胶。采用旋蒸方式将湿凝胶干燥后，将其研磨，然后在900℃温度下烧结3 h。将烧结成的粉末充分研磨，然后制成圆柱状（直径60 mm×厚度3.5 mm）以获得用于溅射的CaZr1.05O3溅射靶材。溅射薄膜时，沉积腔室的基础真空度为4.0×10-4 Pa，溅射过程中将衬底温度保持在550℃。溅射工艺参数如表1所示。溅射气压固定为2.0 Pa，溅射气氛O2︰Ar的值设定为10︰40到40︰40，溅射时间设定为5 h。沉积完成后，薄膜在基础溅射腔室气压下冷却至室温，然后将其取出在700℃下退火3 h。