《表3 射频非平衡磁控溅射法制备V-DLC薄膜工艺参数》

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《钨与钒掺杂类金刚石薄膜的温度适应摩擦磨损机制研究》

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Si结合层制备工艺参数见表1。直流非平衡磁控溅射法制备W-DLC薄膜工艺参数见表2。射频非平衡磁控溅射法制备V-DLC薄膜工艺参数见表3。按照表1、表2、表3的工艺参数，采用非平衡磁控溅射技术，制备不同类型的DLC薄膜。工作气体选择高纯氩气，溅射靶材为纯度>99.99%的石墨靶、Si靶、W靶和V靶，其中石墨靶用来提供碳源，Si靶用来沉积中间过渡层，W靶和V靶用以在DLC薄膜中掺入金属元素W和V。采用高真空磁控溅射镀膜机（MS型，成都同创材料表面科技有限公司）抽真空至3×10-5Pa后进行烘烤，并在300℃保温30min。待温度降至120℃后，充入高纯氩气，工作压强保持为0.5Pa，进行离子束清洗以去除基材表面的氧化物等杂质，改善界面状态。为提高薄膜与基体的结合力，在基体上沉积Si结合层，以降低薄膜与基体的硬度梯度，缓解因热膨胀系数不匹配而引起的内应力。通过改变沉积过程中的工艺参数，制得未掺杂以及不同含量的W掺杂、V掺杂DLC薄膜，分别记为W-DLC薄膜、V-DLC薄膜。